車(chē)輛可用于部署技術(shù)方案得空間通常非常狹小，這主要是因?yàn)榇蟛糠挚捎每臻g都留給了座艙，電子系統(tǒng)則塞在剩余空間里。
本文將介紹半導(dǎo)體封裝層面得創(chuàng)新如何在改善現(xiàn)代汽車(chē)應(yīng)用中得熱管理方面取的巨大進(jìn)展。隨著車(chē)輛轉(zhuǎn)向電力驅(qū)動(dòng)，以前得許多機(jī)械或液壓系統(tǒng)被電驅(qū)動(dòng)取代，現(xiàn)今車(chē)輛上得大功率轉(zhuǎn)換量顯著升高。猥瑣提高這些新型電氣系統(tǒng)得整體效率，尤其是猥瑣增加車(chē)輛得行駛里程，業(yè)界投入了巨大努力和大量預(yù)算。
對(duì)系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō)，更高得效率還有一個(gè)好處，那就是產(chǎn)生得廢熱顯著減少。從熱管理得角度來(lái)看，這意味著專(zhuān)業(yè)減少散熱器或完全無(wú)需散熱器，進(jìn)而削減方案得尺寸、重量和成本。事實(shí)上，任何電源工程師都知道，消除熱量得蕞好辦法是一開(kāi)始就不產(chǎn)生熱。其次是確保任何浪費(fèi)得能量都盡專(zhuān)家通過(guò)直接得路徑釋放到環(huán)境中。雖然碳化硅（SiC）之類(lèi)得寬能帶隙技術(shù)已經(jīng)在效率提升方面取的了巨大得飛躍，但沒(méi)有（專(zhuān)家永遠(yuǎn)不會(huì)有）一種功率組件不會(huì)引起一些能量損耗。
半導(dǎo)體得常規(guī)散熱方法在功率應(yīng)用中，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）往往是表面貼裝組件（SMD），如SO8FL、u8FL和LFPAK封裝類(lèi)型。SMD成為一家技術(shù)得原因在于：它具備良好得功率能力，能夠方便地自動(dòng)放置和焊接，并且圖片實(shí)現(xiàn)緊湊得方案。然而，SMD元件得散熱并不理想，因?yàn)槠錈醾鞑ヂ窂酵ǔＲㄟ^(guò)印刷電路板（PCB）（圖1）。
▲圖1 常規(guī)散熱方法，熱量需要通過(guò)PCB傳輸?shù)缴崞?/p>
在常規(guī)組件中，引線框架（包括裸露漏極焊盤(pán)）直接焊接到PCB上得銅基底，進(jìn)而提供從芯片到PCB得電連接和熱路徑。這是與PCB得獨(dú)家直接電熱連接，因?yàn)榻M件得其余部分被封閉在模塑中，僅透過(guò)對(duì)流散熱到周?chē)諝庵小?/p>
采用這種方法時(shí)，組件得熱傳遞效率嚴(yán)重依賴(lài)于PCB得特性，如銅基底得面積大小、層數(shù)、厚度和布局。無(wú)論電路板是否連接到散熱器，都是如此。由于熱路徑受限，并且PCB得低熱導(dǎo)率妨礙散熱，因此組件得蕞大功率能力受到限制。
頂部散熱解決過(guò)熱問(wèn)題猥瑣解決散熱問(wèn)題， 廠商如安森美（onsemi）開(kāi)發(fā)了一種MOSFET封裝，讓引線框架（漏極）在封裝得頂部暴露出來(lái)。透過(guò)頂部散熱（Top Cool）對(duì)應(yīng)用布局/空間和熱傳遞都有好處（圖2）。采用傳統(tǒng)方法對(duì)功率MOSFET進(jìn)行散熱，雖然能實(shí)現(xiàn)相當(dāng)緊湊小巧得方案，但出于散熱考慮，PCB得下側(cè)不能放置其他組件。這種方法一般需要較大得PCB來(lái)容納所有必要得組件。
圖2 頂部散熱組件將散熱器置于上方以改善布局和熱性能
頂部散熱組件得熱路徑向上，因此散熱器被放置在MOSFET上方，最優(yōu)在下側(cè)布置功率元件、柵極驅(qū)動(dòng)器和其他組件，從而專(zhuān)業(yè)使用較小得PCB。這種更緊湊得布局還使的柵極驅(qū)動(dòng)走線專(zhuān)業(yè)更短，這對(duì)于高頻工作是個(gè)優(yōu)勢(shì)。
此外，由于不再要求熱量通過(guò)PCB，因此PCB本身將保持較低溫度水平，MOSFET周?chē)媒M件將在較低溫度下工作，這有利于提高其可靠性。
頂部散熱元件除了布局優(yōu)勢(shì)外，還具有明顯得散熱優(yōu)勢(shì)，因?yàn)檫@種封裝最優(yōu)熱量直接耗散到組件得引線框架。鋁具有高熱導(dǎo)率（通常在100~210W/mk之間），因此最常用得散熱器是鋁制得。與通過(guò)PCB得常規(guī)散熱相比，鋁或類(lèi)似金屬大大降低了熱阻，進(jìn)而提供更好得熱回應(yīng)。
除了提高熱導(dǎo)率外，散熱器還提供更大得熱質(zhì)量，這有助于避免飽和，提供更大得熱時(shí)間常數(shù)，因?yàn)轫敳堪惭b得散熱器可根據(jù)應(yīng)用需求來(lái)確定適當(dāng)?shù)贸叽纭ｍ敳可岱庋b擁有直接通過(guò)高熱質(zhì)量散熱器進(jìn)行散熱得優(yōu)勢(shì)，因此其熱回應(yīng)（以每瓦溫升來(lái)衡量）會(huì)更好。在接面溫度升幅一定得情況下，更好得熱響應(yīng)將圖片更高功率運(yùn)行。最終，對(duì)于相同得MOSFET芯片，采用頂部散熱封裝得芯片比采用標(biāo)準(zhǔn)SMD封裝得芯片將擁有更高得電流和功率能力。
頂部散熱N溝道MOSFET廠商如安森美開(kāi)發(fā)了一系列頂部散熱組件，采用改進(jìn)LFPAK 5×7封裝，尺寸僅5mm×7mm。新得頂部散熱封裝被命名為T(mén)CPAK57，上側(cè)具有16.5mm2散熱焊盤(pán)，熱量專(zhuān)業(yè)直接耗散到散熱器中。
在內(nèi)部，TCPAK57組件具有用于源極和漏極連接得銅夾。它取代了線焊，最優(yōu)以極小得電阻傳導(dǎo)大電流，并構(gòu)成有效得熱連接通向上側(cè)焊盤(pán)。新器件提供高功率應(yīng)用所需得電氣效率，RDS(ON)值低至1 mΩ。
汽車(chē)功率設(shè)計(jì)應(yīng)注重?zé)峁芾?p>猥瑣實(shí)現(xiàn)汽車(chē)產(chǎn)業(yè)中得設(shè)計(jì)目標(biāo)，功率設(shè)計(jì)中得熱管理是重要基礎(chǔ)。MOSFET @分立功率元件得常規(guī)散熱方法讓熱量通過(guò)PCB傳遞到散熱器。然而，這并不是理想得熱路徑，使的組件性能受到影響。為此，一種新得封裝形式是將散熱焊盤(pán)移至頂部，這樣散熱器專(zhuān)業(yè)直接焊接到組件上。這不僅改善了MOSFET得散熱，還專(zhuān)業(yè)在PCB得下側(cè)布置組件，進(jìn)而提高汽車(chē)@關(guān)鍵應(yīng)用得功率密度。
本文為安森美汽車(chē)功率分立組件產(chǎn)品線總監(jiān)
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