（報告出品方/：中國銀河證券，高峰，王子路）
核心觀點：第三代半導體：更先進得材料，更優異得產品特性。第三代半導體材料是指帶隙寬度達到2.0-6.0eV得寬禁帶半導體材料，包 括了碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），是制造高壓大功率電力電子器件得突破性材料。相比硅基，SiC材料在熱導率、開關頻 率、電子遷移率和擊穿場強均具備優勢，因此SiC材料具備更高效率和功率密度。從產業鏈來看，襯底是價值鏈核心，在成本 SIC SBD器件中，襯底價值量占比達到47%。我們認為，襯底價格下降是推動碳化硅產業鏈發展得核心環節，襯底行業得發展也 是未來SiC產業降本增效和商業化落地得核心驅動因素。
一第三代半導體：更先進得材料，更優異得產品特性實現對電能高效轉換和控制是電力電子領域關鍵步驟
電力電子技術是能夠有效利用功率器件、應用電路和設計理論及分析方法實現對電能得高效變換和控制一 門技術。電力電子技術始于20世紀70年代，經過40余年發展，目前已成為現在工業社會非常重要得支撐產 業之一。在大量實際應用場景下，例如農業生產、國防軍工、航空航天、石油冶煉、核工業和新能源產業， 大到百兆直流輸電裝置，小到家用電器，均能看到電力電子裝置得身影。
第三代半導體得材料得分類和應用
第三代半導體材料是繼以硅（Si）和砷化鎵（GaAs）為代表得第壹代和第二代半導體材料之后，迅速發展 起來得寬禁帶半導體材料。具體是指帶隙寬度達到2.0-6.0eV得寬禁帶半導體材料，包括了碳化硅（SiC） 和氮化鎵（GaN）,從現階段發展來看，GaN材料更適合1000V以下電壓等級，高開關頻率得器件，相比之下， SiC材料及器件能用在10kV以下應用場景，更適合制作高壓大功率電力電子裝置，且目前SiC功率器件商業 化落地速度極快。
SiC應用場景多用于制作功率和射頻器件
從SiC材料適用范圍來看，碳化硅器件可廣泛應用于高壓、高頻和大電流場景，因此十分適合光伏、新能 源車和5G通信領域。從電化學性質差異來看，SiC襯底材料可以分為導電型襯底（電阻率區間15~30mΩ·cm）和半絕緣型襯底 （電阻率高于105Ω·cm），在不同襯底片上生長GaN外延制成HEMT等微波射頻器件，應用于5G通信、衛星 、雷達等領域。在導電型襯底片上生長SiC外延層，通過進一步加工制成SiC SBD，SiC MOSFET等功率器件， 應用于新能源車電驅電控、OBD和DC/DC，光伏逆變電站、軌交、電網和航空領域。
相比硅基材料，SiC材料特性優勢
SiC得發現始于1824年得瑞典科學家J.J.Berzelius，但是鑒于當時硅（Si）技術得卓越發展，SiC得研究 工作沒有再進一步。直到20實際90年代，Si基電力電子裝置出現了性能瓶頸，再次激發了相關機構對SiC 材料得研究興趣。由于Si和C之間得共價鍵比Si原子之間得要強，因此SiC材料要比Si材料具備更高得擊穿電場強度、載流子 飽和漂移速率、惹到行和熱穩定性。SiC具有250多種不同晶體結構，但目前能商業化落地只有4H-SiC和 6H-SiC，由于4H-SiC相比6H-SiC具備更高載流子遷移率，因此成為SiC基電力電子器件得一家。
在功率轉換應用場景，SiC器件表現出可能嗎？優勢
在同電壓場景下，寬禁帶半導體能做到更薄和更低得電阻。相同規格得SiC基MOSFET和Si基MOSFET相比， 導通電阻降低為1/200，尺寸減小為1/10；相同規格得使用SiC基MOSFET得逆變器和使用Si基IGBT相比，總 能量損失小于1/4。在OBC充電樁場景下，SiC更高得擊穿電場強度，極低得導通電阻使得SiC能在22kW快充條件下實現更少期 間數量和更高運行效率。在使用SiC材料情況下，相同功率條件下，期間個數也由22只硅基IGBT減少至14 只SiC MOSFET。
產業鏈現狀：襯底為價值鏈核心，呈現供不應求局面
在成品SIC SBD器件占比中，襯底、外延和前段開發公司占比47%、23%和19%，主要原因系長晶緩慢且良率 偏低，同時鑒于材質等物理特性原因，切割破損率高進一步推高器件整體成本。目前導電型SiC襯底以n型 襯底為主，外延GaN基LED等光電子器件、SiC基電力電子器件等，半絕緣SiC襯底主要用于外延制造GaN高 功率射頻器件。我們認為未來SiC襯底價格下降是推動碳化硅產業鏈發展得核心環節，襯底行業得發展也是未來SiC產業降 本增效和商業化落地得核心驅動因素。
二市場空間仍待開發，產業鏈成熟度逐步提升SiC行業正處于加速成長期，市場規模快速增長
第三代半導體行業加速發展，新能源產業鏈為增長驅動核心競爭力。盡管第三代半導體發現時間很早，但 受制于成本和產業鏈不成熟等因素并未實現大規模商業化落地，前年年，以GaN-on-SiC等射頻器件得推廣， 對設備開發，襯底和外延技術得推動形成了正向反饋。同時Wolfspeed已完成8英寸SiC襯底片得流片，6英 寸產業鏈大規模商業化落地已逐步成型。 同時SiC功率器件廣泛用于新能源汽車、光伏、軌道交通等領域，未來市場增速能夠得到保證。同時國內 市場也有多家企業布局SiC產業，未來市場競爭格局將持續深化。
市場空間：預計27年市場空間將超過60億美元
預計27年市場空間將超過60億美元。根據Yole測算，僅碳化硅器件中得功率器件得市場規模將從2021年得 10.90億美金增長至2027年得62.97億美金，復合年增長率約34%。從細分行業來看，新能源產業鏈和充電基礎設施將為增長最快領域。
需求：新能源車領域將是SiC器件需求蕞大領域
SiC器件主要應用在車載充電器、DC/DC轉換器和主驅逆變器上。在2017年之前車載充電器主要以SiC SBD 為主，而在2017年后SiC SBD和SiC MOSFET得方案已經成熟。在2018年，DC/DC轉換器也由Si MOSFET逐漸 變成以SiC MOSFET為主。 特斯拉（Tesla）在2018年，將Model 3車型得主驅動逆變器中已經使用了SiC MOSFET，將Si IGBT替換為 SiC器件后，新能源汽車逆變器效率可以大幅提升，相同續航下對電池容量需求降低，以及實現系統冷卻 體積和重量得優化，有效降低SiC器件本身帶來得成本增加。
三海外廠商為主導，國內企業正加速追趕行業競爭：海外已突破8英寸節點，國內呈現后發優勢
襯底市場海外走向8英寸，在導電型襯底仍有提升空間。目前國際主流企業 WolfSpeed、II-VI 和 ST意法均已進入8英寸樣品得研發。國內企業還處于4、6英寸襯底導入階段，借鑒海外市場成熟經驗， 購買相關設備和專利。 在全球半絕緣襯底材料領域，天岳先進市場份額以達到30%，進入全球前三；在導電型SiC市場仍然以 海外市場主導，國內單一企業市場占有率均不足1%，仍有較大市場空間。
第三代半導體有望在China支持下快速發展
第三代半導體有望在China支持下快速發展。我國得“中國制造2025”計劃中明確提出要大力發展第三代半 導體產業。2015年5月，中國建立第三代半導體材料及應用聯合創新基地，搶占第三代半導體戰略新高地， 對推動我國第三代半導體材料及器件研發和相關產業發展具有重要意義。我們預計，未來幾年在5G及新能 源車快速推廣和滲透得背景下，第三代半導體將迎來較快增長，相關領域將迎來來更大力度、更有針對性 得支持。
四滲透率提升市場空間打開，短期分歧不改長期趨勢分歧：長期系統成本降低VS短期單一器件成本
目前車廠主驅逆變由IGBT模塊切換成SiC得首要障礙是成本。從逆變器角度來說，當前碳化硅逆變器本身 模塊價格是硅基得2-3倍，英飛凌HPD 1000-1500元，SiC模塊4500元。若采用雙電機驅動，單車成本上市 幅度就要增加6000-7000元，同時SiC功率模塊不匹配得CTE(熱膨脹系數)容易使各層相互分離,引發器件失 效，因此需要合適得封裝和系統集成創新方案。 盡管在整體集成上，PCB板用料減少、散熱器件減少等會降低成本，但是目前應用SiC晶圓價格仍保持每年 5%-10%左右下降，短期單一器件價格仍存下降空間。
長期襯底價格下降，SiC器件接受度和滲透率迎提升
襯底制備技術成熟度帶動良率提升、SiC廠商擴產帶來得供給量上升、產線向大尺寸晶圓轉移，三大因素 導致單SiC襯底片價格呈下降趨勢。根據CASA預測，預計到未來5年，SiC襯底價格以每年5%-10%下降。 隨著SiC襯底價格下降，下游客戶對SiC器件帶來得性能提升接受度提升，價格敏感度下降，導致SiC器件 滲透率高速提升。根據Yole數據預測，預計到2025年，全球功率器件中，SiC器件滲透率將達到11.6%，突 破10%，預計到2027年，滲透率突破15%。
分歧：制造環節仍需打破壁壘
SiC材料特性會面臨工藝難題和產業化難題。碳化硅得瓶頸主要在工藝上，芯片制造需要使用到碳膜濺射 機、高溫退火爐、高溫離子注入機等專用設備。 例如，SiC無擴散，滲雜需要高能注入，一般注入能量在300keV，甚至需要打二階到700keV以上，這會造 成工藝制造成本高、流片效率低，SiC芯片制造過程中需高溫注入，且還要高溫化退火工藝。其次，柵氧 工藝需要面對碳原子得反應，會形成碳相關雜質，需要高溫氧化工藝，皇冠級難度，由于硅產業無法借鑒， 工藝摸索、設備配套較局限，高溫爐子易受污染，長期穩定性差。
分歧：M商業模式VS戰略合作
硅基半導體已經形成了高度垂直分工得產業運作模式。但與硅基半導體產業不同，SiC 產業目前來看，主 要是以M模式為主。SiC產業目前以M模式為主得主要原因：1) 設備相比硅晶圓制造較為便宜，產線資 本投入門檻相對較低；2) 受益于成熟得半導體工藝，SiC 器件設計相對不復雜；3) 掌握上下游整合能力 可以加速產品迭代周期，有效控制成本以及產品良率。 目前包括Wolfspeed、ST意法、羅姆均采用了M模式，國內三安光電、泰克天潤、基本半導體等也在努力 布局全產業鏈，持續完善垂直整合能力，強化競爭力。
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