>優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品>機(jī)械及行業(yè)設(shè)備>電子產(chǎn)品制造設(shè)備>蝕刻機(jī)>Hakuto 離子蝕刻機(jī) 10IBE 電子元器件，儀器儀表
企業(yè)會(huì)員
產(chǎn)品價(jià)格￥2000000.00元/臺(tái)
產(chǎn)品品牌Hakuto
最小起訂≥1 臺(tái)
供貨總量100 臺(tái)
瀏覽次數(shù)378
企業(yè)旺鋪http://hakuto.48903.com/
更新日期2021-09-06 21:40
會(huì)員級(jí)別：企業(yè)會(huì)員
身份認(rèn)證：
我的勛章： [誠信檔案]
在線客服：
企業(yè)二維碼： 企業(yè)名稱加二維碼
品牌： |
Hakuto |
所在地： |
廣東 深圳市 |
起訂： |
≥1 臺(tái) |
供貨總量： |
100 臺(tái) |
有效期至： |
長(zhǎng)期有效 |
均勻性： |
±5% |
硅片刻蝕率： |
20 nm/min |
離子源： |
4 cm,8cm,10cm,16cm 考夫曼離子源 |
上海伯東日本原裝進(jìn)口適合小規(guī)模量產(chǎn)使用和實(shí)驗(yàn)室研究的 Hakuto 離子蝕刻機(jī) 10IBE.
蝕刻均勻性: ±5%, 刻蝕速率: 20 nm/min, 樣品臺(tái): 直接冷卻（水冷）0-90 度旋轉(zhuǎn).
Hakuto 離子蝕刻機(jī) 10IBE 內(nèi)部使用美國 KRI 考夫曼離子源產(chǎn)生轟擊離子;
終點(diǎn)檢出器采用 Pfeiffer 殘余氣體質(zhì)譜分析儀監(jiān)測(cè)當(dāng)前氣體成分, 判斷刻蝕情況.
Hakuto 離子蝕刻機(jī) 10IBE 主要優(yōu)點(diǎn)
1. 干式制程的微細(xì)加工裝置, 使得在薄膜磁頭, 半導(dǎo)體元件, MR sensor 等領(lǐng)域的開發(fā)研究及量產(chǎn)得以廣泛應(yīng)用.
2. 物理蝕刻的特性, 無論使用什么材料都可以用來加工, 所以各種領(lǐng)域都可以被廣泛應(yīng)用.
3. 配置使用美國考夫曼離子源.
4. 射頻角度可以任意調(diào)整, 蝕刻可以根據(jù)需要做垂直, 斜面等等加工形狀.
5. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上, 所以可以在低溫環(huán)境下蝕刻.
6. 配置公轉(zhuǎn)自轉(zhuǎn)傳輸機(jī)構(gòu), 使得被蝕刻物可以得到比較均勻平滑的表面.
7. 機(jī)臺(tái)設(shè)計(jì)使用自動(dòng)化的操作流程, 所以可以有非常友好的使用生產(chǎn)過程.
Hakuto 離子蝕刻機(jī) 10IBE技術(shù)參數(shù):
基板尺寸 | < Ф8 X 1wfr | |
樣品臺(tái) | 直接冷卻（水冷）0-90 度旋轉(zhuǎn) | |
離子源 | 4 cm,8cm,10cm,16cm | |
均勻性 | ±5% for 4”Ф | |
硅片刻蝕速率 | 20 nm/min | |
溫度 | <100 |
Hakuto 離子蝕刻機(jī) 10IBE 組成：
Hakuto 離子蝕刻機(jī)通氬氣 Ar 不同材料的蝕刻速率:
還沒找到您需要的蝕刻機(jī)產(chǎn)品？立即發(fā)布您的求購意向，讓蝕刻機(jī)公司主動(dòng)與您聯(lián)系！
立即發(fā)布求購意向本網(wǎng)頁所展示的有關(guān) 伯東貿(mào)易(深圳)有限公司 為你提供的“Hakuto 離子蝕刻機(jī) 10IBE”蝕刻機(jī)價(jià)格、型號(hào)、圖片、廠家等信息。如有需要請(qǐng)撥打電話：0755-25473928。
信息及其他相關(guān)推薦信息，均來源于其對(duì)應(yīng)的企業(yè)，信息的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由該信息的來源企業(yè)完全負(fù)責(zé)。企資網(wǎng)對(duì)此不承擔(dān)任何保證責(zé)任。
在您的合法權(quán)益受到侵害時(shí)，歡迎您向weilaitui@qq.com郵箱發(fā)送郵件，或者進(jìn)入《網(wǎng)站意見反饋》了解投訴處理流程，我們將竭誠為您服務(wù)，感謝您對(duì)企資網(wǎng)的關(guān)注與支持！
Hakuto 離子蝕刻機(jī) 10IBE Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-J Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-C Hakuto 離子蝕刻機(jī) 7.5IBE
可選
