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產品價格￥2000000.00元/臺
產品品牌Hakuto
最小起訂≥1 臺
供貨總量100 臺
瀏覽次數331
更新日期2021-09-06 21:40
品牌： |
Hakuto |
所在地： |
廣東 深圳市 |
起訂： |
≥1 臺 |
供貨總量： |
100 臺 |
有效期至： |
長期有效 |
均勻性： |
±5% |
硅片刻蝕率： |
20 nm/min |
離子源： |
4 cm,8cm,10cm,16cm 考夫曼離子源 |
上海伯東日本原裝進口適合小規模量產使用和實驗室研究的 Hakuto 離子蝕刻機 10IBE.
蝕刻均勻性: ±5%, 刻蝕速率: 20 nm/min, 樣品臺: 直接冷卻（水冷）0-90 度旋轉.
Hakuto 離子蝕刻機 10IBE 內部使用美國 KRI 考夫曼離子源產生轟擊離子;
終點檢出器采用 Pfeiffer 殘余氣體質譜分析儀監測當前氣體成分, 判斷刻蝕情況.
Hakuto 離子蝕刻機 10IBE 主要優點
1. 干式制程的微細加工裝置, 使得在薄膜磁頭, 半導體元件, MR sensor 等領域的開發研究及量產得以廣泛應用.
2. 物理蝕刻的特性, 無論使用什么材料都可以用來加工, 所以各種領域都可以被廣泛應用.
3. 配置使用美國考夫曼離子源.
4. 射頻角度可以任意調整, 蝕刻可以根據需要做垂直, 斜面等等加工形狀.
5. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上, 所以可以在低溫環境下蝕刻.
6. 配置公轉自轉傳輸機構, 使得被蝕刻物可以得到比較均勻平滑的表面.
7. 機臺設計使用自動化的操作流程, 所以可以有非常友好的使用生產過程.
Hakuto 離子蝕刻機 10IBE技術參數:
基板尺寸 | < Ф8 X 1wfr | |
樣品臺 | 直接冷卻（水冷）0-90 度旋轉 | |
離子源 | 4 cm,8cm,10cm,16cm | |
均勻性 | ±5% for 4”Ф | |
硅片刻蝕速率 | 20 nm/min | |
溫度 | <100 |
Hakuto 離子蝕刻機 10IBE 組成：
Hakuto 離子蝕刻機通氬氣 Ar 不同材料的蝕刻速率:
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