儲能變流器PCS中SiC碳化硅MOSFET會加速替代IGBT

為什么在儲能變流器PCS中SiC碳化硅MOSFET會加速替代IGBT！

使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅儲能變流器PCS！-傾佳電子（Changer Tech）*分銷

使用基本公司SiC碳化硅MOSFET升級傳統(tǒng)IGBT儲能變流器PCS，實現(xiàn)超高的儲能變流器PCS平均效率，更小的儲能

變流器PCS體積重量！更低的儲能變流器PCS成本！更高的儲能變流器PCS功率密度！

隨著銅價暴漲高燒不退，如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點，使用基本公司碳化硅MO

SFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊，可以顯著提頻降低系統(tǒng)綜合成本（電感磁性元件，散熱系統(tǒng)，整機(jī)重量）

，電力電子系統(tǒng)的全碳SiC時代，未來已來！傾佳電子（Changer Tech）*分銷基本公司SiC碳化硅MOSFET！

傾佳電子（Changer Tech）致力于基本公司國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在電力電子市場的推廣！

Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of 

BASiC? silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!

基本公司SiC碳化硅MOSFET單管適用于各類儲能變流器PCS，比如電站集中式儲能變流器PCS，工商業(yè)模塊化儲能

變流器PCS，戶用儲能PCS等。

儲能變流器PCS是連接儲能電池系統(tǒng)和電網(wǎng)的雙向電流可控轉(zhuǎn)換裝置，決定了新型儲能系統(tǒng)的效率和安全，影響著

新型儲能系統(tǒng)的使用壽命。儲能變流器的核心作用疊加新型儲能電站裝機(jī)規(guī)模攀升，使用基本公司SiC碳化硅

MOSFET打造全SiC碳化硅儲能變流器PCS享受市場快速擴(kuò)張紅利。目前市場競爭非常激烈，使用基本公司SiC碳化

硅MOSFET打造全SiC碳化硅儲能變流器PCS競爭優(yōu)勢較明顯。

使用基本公司SiC碳化硅MOSFET儲能PCS替代IGBT模塊方案。SiC以耐高壓、耐高溫、體積小、響應(yīng)速度快等優(yōu)勢，

規(guī)避了IGBT技術(shù)壁壘、產(chǎn)能受限的問題.

儲能變流器技術(shù)發(fā)展集中在軟件和硬件兩大領(lǐng)域。構(gòu)網(wǎng)型變流器的控制模式（算法）快速迭代。其主要應(yīng)用在新能源

配套和獨立儲能電站等場景，因為它可以穩(wěn)定整個電網(wǎng)、改善系統(tǒng)穩(wěn)定性，所以該技術(shù)在以上兩個主要應(yīng)用場景滲透

比例高。國內(nèi)主要構(gòu)網(wǎng)型變流器廠商在該項技術(shù)上取得了一定突破。

構(gòu)網(wǎng)型iC碳化硅MOSFET儲能PCS硬件與構(gòu)網(wǎng)型變流器控制模式緊密相關(guān)，iC碳化硅MOSFET儲能PCS須具備較強(qiáng)的

支撐能力，實現(xiàn)瞬間輸出較大有功、無功電流，發(fā)揮較強(qiáng)的支撐作用，且有較快的響應(yīng)速度。

IGBT芯片技術(shù)不斷發(fā)展，但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進(jìn)幅度越來越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來

越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導(dǎo)體提供了實現(xiàn)半導(dǎo)體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用

SiC MOSFET可以降低開關(guān)損耗，從而提高開關(guān)頻率。進(jìn)一步的，可以優(yōu)化濾波器組件，相應(yīng)的損耗會下降，從而

全面減少系統(tǒng)損耗。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊，與同樣封裝的Si IGBT模塊相比，功率損耗可以降低約

70%左右，可以將開關(guān)頻率提5倍（實現(xiàn)顯著的濾波器優(yōu)化），同時保持zui高結(jié)溫低于zui大規(guī)定值。

為了保持電力電子系統(tǒng)競爭優(yōu)勢，同時也為了使zui終用戶獲得經(jīng)濟(jì)效益，一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力

電子應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的優(yōu)勢所在。隨著IGBT技術(shù)到達(dá)發(fā)展瓶頸，加上SiC MOSFET*成本持續(xù)下降，

使用SiC MOSFET替代升級IGBT已經(jīng)成為各類型電力電子應(yīng)用的主流趨勢。

傾佳電子（Changer Tech）*分銷基本?（BASiC Semiconductor）碳化硅SiC功率MOSFET,BASiC基本?碳化硅

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化硅MOSFET模塊，BASiC基本?I型三電平IGBT模塊，BASiC基本?T型SiC碳化硅MOSFET模塊，BASiC基本?混

合SiC-IGBT單管，BASiC基本?混合SiC-IGBT模塊，碳化硅(SiC)MOSFET專用雙通道隔離驅(qū)動芯片BTD25350，單

通道隔離驅(qū)動芯片BTD5350,雙通道隔離驅(qū)動芯片BTD21520,單通道隔離驅(qū)動芯片（帶VCE保護(hù)）BTD3011,BASiC

基本?混合SiC-IGBT三電平模塊應(yīng)用于光伏逆變器，雙向AC-DC電源，戶用光伏逆變器，戶用光儲一體機(jī)，儲能變

流器，儲能PCS,雙向LLC電源模塊，儲能PCS-Buck-Boost電路，光儲一體機(jī),PCS雙向變流器，三相維也納PFC電路,

三電平LLC直流變換器,移相全橋拓?fù)涞刃履茉搭I(lǐng)域。在光伏逆變器、光儲一體機(jī)、儲能變流器PCS、OBC車載充電器

，熱管理電動壓縮機(jī)驅(qū)動器，射頻電源，PET電力電子變壓器，氫燃料空壓機(jī)驅(qū)動，大功率工業(yè)電源，工商業(yè)儲能變

流器，變頻器，變槳伺服驅(qū)動*電源，高頻逆變焊機(jī)，高頻伺服驅(qū)動，AI服務(wù)器電源，算力電源，數(shù)據(jù)中心電源，機(jī)

房UPS等領(lǐng)域與客戶戰(zhàn)略合作，傾佳電子（Changer Tech）全力支持中國電力電子工業(yè)發(fā)展！

傾佳電子（Changer Tech）-*汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化

硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN，驅(qū)動IC)分銷商，聚焦新能源、交通電動化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，致力于服務(wù)中國

工業(yè)電源，電力電子裝備及新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。在新型能源體系的發(fā)展趨勢場景下，融合數(shù)字技術(shù)、電力電子技術(shù)

、熱管理技術(shù)和儲能管理技術(shù)，以實現(xiàn)發(fā)電的低碳化、用能的電氣化和用電的*化，以及“源、網(wǎng)、荷、儲、車”的

協(xié)同發(fā)展。傾佳電子（Changer Tech）-以技術(shù)創(chuàng)新為導(dǎo)向，將不斷創(chuàng)新技術(shù)和產(chǎn)品，堅定不移與產(chǎn)業(yè)和合作伙伴

攜手，積極參與數(shù)字能源產(chǎn)業(yè)生態(tài)，為客戶提供高品質(zhì)汽車智能互聯(lián)連接器與線束，新能源汽車連接器，新能源汽

車高壓連接器與線束，直流充電座，耐高壓連接器&插座，創(chuàng)新型車規(guī)級互聯(lián)產(chǎn)品，包括線對板、板對板、輸入輸

出、電源管理和FFC-FPC連接器，涵蓋2級充電站和可在30分鐘內(nèi)為EV電池充滿電的3級超快速充電站的高能效電

源連接器，用于地下無線充電的IP67級密封連接器。以及以技術(shù)創(chuàng)新為導(dǎo)向的各類功率半導(dǎo)體器件：車規(guī)碳化硅

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（Changer Tech）為實現(xiàn)零碳發(fā)電、零碳數(shù)據(jù)中心、零碳網(wǎng)絡(luò)、零碳家庭等新能源發(fā)展目標(biāo)奮斗，從而為實現(xiàn)一

個零碳地球做出貢獻(xiàn)，邁向數(shù)字能源新時代！Changer Tech strives to achieve new energy development goals

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