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      儲能變流器PCS中SiC碳化硅MOSFET會加速替代IGBT

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      為什么在儲能變流器PCS中SiC碳化硅MOSFET會加速替代IGBT!

      使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅儲能變流器PCS!-傾佳電子(Changer Tech)*分銷

      使用基本公司SiC碳化硅MOSFET升級傳統IGBT儲能變流器PCS,實現超高的儲能變流器PCS平均效率,更小的儲能

      變流器PCS體積重量!更低的儲能變流器PCS成本!更高的儲能變流器PCS功率密度!


      隨著銅價暴漲高燒不退,如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點,使用基本公司碳化硅MO

      SFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊,可以顯著提頻降低系統綜合成本(電感磁性元件,散熱系統,整機重量)

      ,電力電子系統的全碳SiC時代,未來已來!傾佳電子(Changer Tech)*分銷基本公司SiC碳化硅MOSFET!


      傾佳電子(Changer Tech)致力于基本公司國產碳化硅(SiC)MOSFET功率器件在電力電子市場的推廣!

      Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of 

      BASiC? silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!



      基本公司SiC碳化硅MOSFET單管適用于各類儲能變流器PCS,比如電站集中式儲能變流器PCS,工商業模塊化儲能

      變流器PCS,戶用儲能PCS等。


      儲能變流器PCS是連接儲能電池系統和電網的雙向電流可控轉換裝置,決定了新型儲能系統的效率和安全,影響著

      新型儲能系統的使用壽命。儲能變流器的核心作用疊加新型儲能電站裝機規模攀升,使用基本公司SiC碳化硅

      MOSFET打造全SiC碳化硅儲能變流器PCS享受市場快速擴張紅利。目前市場競爭非常激烈,使用基本公司SiC碳化

      硅MOSFET打造全SiC碳化硅儲能變流器PCS競爭優勢較明顯。

      使用基本公司SiC碳化硅MOSFET儲能PCS替代IGBT模塊方案。SiC以耐高壓、耐高溫、體積小、響應速度快等優勢,

      規避了IGBT技術壁壘、產能受限的問題.

      儲能變流器技術發展集中在軟件和硬件兩大領域。構網型變流器的控制模式(算法)快速迭代。其主要應用在新能源

      配套和獨立儲能電站等場景,因為它可以穩定整個電網、改善系統穩定性,所以該技術在以上兩個主要應用場景滲透

      比例高。國內主要構網型變流器廠商在該項技術上取得了一定突破。

      構網型iC碳化硅MOSFET儲能PCS硬件與構網型變流器控制模式緊密相關,iC碳化硅MOSFET儲能PCS須具備較強的

      支撐能力,實現瞬間輸出較大有功、無功電流,發揮較強的支撐作用,且有較快的響應速度。


      IGBT芯片技術不斷發展,但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進幅度越來越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來

      越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導體提供了實現半導體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用

      SiC MOSFET可以降低開關損耗,從而提高開關頻率。進一步的,可以優化濾波器組件,相應的損耗會下降,從而

      全面減少系統損耗。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊,與同樣封裝的Si IGBT模塊相比,功率損耗可以降低約

      70%左右,可以將開關頻率提5倍(實現顯著的濾波器優化),同時保持zui高結溫低于zui大規定值。


      為了保持電力電子系統競爭優勢,同時也為了使zui終用戶獲得經濟效益,一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力

      電子應用功率轉換應用的優勢所在。隨著IGBT技術到達發展瓶頸,加上SiC MOSFET*成本持續下降,

      使用SiC MOSFET替代升級IGBT已經成為各類型電力電子應用的主流趨勢。


      傾佳電子(Changer Tech)*分銷基本?(BASiC Semiconductor)碳化硅SiC功率MOSFET,BASiC基本?碳化硅

      MOSFET模塊,BASiC基本?單管SiC碳化硅MOSFET,BASiC基本?SiC碳化硅MOSFET模塊,BASiC基本?SiC碳

      化硅MOSFET模塊,BASiC基本?I型三電平IGBT模塊,BASiC基本?T型SiC碳化硅MOSFET模塊,BASiC基本?混

      合SiC-IGBT單管,BASiC基本?混合SiC-IGBT模塊,碳化硅(SiC)MOSFET專用雙通道隔離驅動芯片BTD25350,單

      通道隔離驅動芯片BTD5350,雙通道隔離驅動芯片BTD21520,單通道隔離驅動芯片(帶VCE保護)BTD3011,BASiC

      基本?混合SiC-IGBT三電平模塊應用于光伏逆變器,雙向AC-DC電源,戶用光伏逆變器,戶用光儲一體機,儲能變

      流器,儲能PCS,雙向LLC電源模塊,儲能PCS-Buck-Boost電路,光儲一體機,PCS雙向變流器,三相維也納PFC電路,

      三電平LLC直流變換器,移相全橋拓撲等新能源領域。在光伏逆變器、光儲一體機、儲能變流器PCS、OBC車載充電器

      ,熱管理電動壓縮機驅動器,射頻電源,PET電力電子變壓器,氫燃料空壓機驅動,大功率工業電源,工商業儲能變

      流器,變頻器,變槳伺服驅動*電源,高頻逆變焊機,高頻伺服驅動,AI服務器電源,算力電源,數據中心電源,機

      房UPS等領域與客戶戰略合作,傾佳電子(Changer Tech)全力支持中國電力電子工業發展!


      傾佳電子(Changer Tech)-*汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化

      硅SiC-MOSFET,氮化鎵GaN,驅動IC)分銷商,聚焦新能源、交通電動化、數字化轉型三大方向,致力于服務中國

      工業電源,電力電子裝備及新能源汽車產業鏈。在新型能源體系的發展趨勢場景下,融合數字技術、電力電子技術

      、熱管理技術和儲能管理技術,以實現發電的低碳化、用能的電氣化和用電的*化,以及“源、網、荷、儲、車”的

      協同發展。傾佳電子(Changer Tech)-以技術創新為導向,將不斷創新技術和產品,堅定不移與產業和合作伙伴

      攜手,積極參與數字能源產業生態,為客戶提供高品質汽車智能互聯連接器與線束,新能源汽車連接器,新能源汽

      車高壓連接器與線束,直流充電座,耐高壓連接器&插座,創新型車規級互聯產品,包括線對板、板對板、輸入輸

      出、電源管理和FFC-FPC連接器,涵蓋2級充電站和可在30分鐘內為EV電池充滿電的3級超快速充電站的高能效電

      源連接器,用于地下無線充電的IP67級密封連接器。以及以技術創新為導向的各類功率半導體器件:車規碳化硅

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      虛擬電廠、智能充電網絡、V2X、綜合智慧能源、智能微電網智能光儲,智能組串式儲能等行業應用,傾佳電子

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      個零碳地球做出貢獻,邁向數字能源新時代!Changer Tech strives to achieve new energy development goals

       such as zero-carbon power generation, zero-carbon data centers, zero-carbon networks, and zero-carbon

       homes, thereby contributing to the realization of a zero-carbon earth and moving towards a new era of

       digital energy!

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