薄膜電容具有無極性，絕緣阻抗很高，頻率特性優(yōu)異(頻率響應(yīng)寬廣)，介質(zhì)損失很小等優(yōu)點，基于以上的優(yōu)點，薄膜電容器被大量使用在模擬電路上。那么薄膜電容介質(zhì)的耐壓損傷是怎樣的呢？下面跟大家談?wù)劇?/span>
由于電容介質(zhì)中局部弱點處的損耗D值很大，在不均勻的高場強下就會產(chǎn)生很大局部熱量而損傷介質(zhì)。而施加直流電壓時，熱量僅由漏電流產(chǎn)生，尤其對于新生產(chǎn)的電容器來說，一般其絕緣電阻很高，漏泄電流很小，造成局部過熱損傷的可能性非常小。
另外如果施加的交流電壓達到起始局部放電電壓值，局部放電會每半個周期就要重復(fù)和惡化而造成局部損傷。而在直流電壓下即使有起始局部放電，要等電荷消散后重新積聚才能產(chǎn)生局部放電。綜上可以得出，流耐壓對電容介質(zhì)可能造成嚴重損傷，而直流耐壓對于薄膜電容器基本可以說是無損傷檢測，或者至少是損傷很少的檢測方法。
如您還有其它技術(shù)上的疑問可聯(lián)系我們，我們竭力為您解決。東莞市智旭電子制造安規(guī)電容，高壓薄膜電容，獨石電容，壓敏電阻，薄膜電容，更多品質(zhì)電容盡在JEC。可以免費提供樣品測試，期待您的蒞臨。以上資訊來自東莞市智旭電子有限公司研發(fā)部提供，更多資訊請大家移步至網(wǎng)站中智旭資訊中獲取。
